微波等离子体化学气相沉积系统


NO.1 微波系统 (标配进口6KW微波电源)
微波频率  2.45GHz
功率波动性  最大6kw,连续调节
三销钉调谐器  ≤±10w
微波泄漏   微波泄漏<<0.5mw/cm²@5cm
参数监控 拥有完善的微波电源状态监控系统:输出功率、 反射功率、水温、水流量、湿度、内部和环境温 度、高压监控等
NO.2 反应腔及生长基台
反应腔类型   碟形腔式,实现更大的沉积面积与良好的等离子体均匀性
观察窗口 (测温窗口)   7个观察窗(其中1个用于测温)
生长基台直径   水冷式
钼台直径   建议Φ50mm-70mm,根据客户工艺变化
钼台/生长基台间压力调控   自动压力控制,调节范围5Torr~腔压,该功能旨在调控晶种片生长温度
NO.3 控制系统
集成化全自动生长控制系统,品牌主机,高度的稳定性与可靠性,全面的数据监控系统及历史数据回溯功能,多重联锁保护与故障报警功能,工艺配方加密功能

 

NO.4 真空系统
工作压力范围  工作压力范围10~220Torr,自动压力控制
真空泵  24m³/h(50Hz) 高抽速,双级旋片式真空泵(标配安全阀防逆流)
系统真空漏率  <5x10-¹⁰Pa*m³/s (氨质谱检漏仪测试)
极限真空度  <0.5Pa(标配双级旋片式真空泵) ,选配分子泵可达7×10-³ Pa
NO.5 气路系统
标配五路进口MFC,预留拓展1路
进口半导体级气路管道、阀门、控制系统
NO.6  测温仪
高精度光纤式红外测温仪:450~1400 摄氏度
NO.7 供电、冷却系统
腔体、微波头、微波电源、沉积台等累计冷却水流量≥22L/Min; 供水水压0.5~0.6Mpa;水温20~25°C;实现所有水路的水流量、温度实时监测
供电要求:AC 400V±10%,三相五线制,50Hz
功耗:满功率工况,整机功耗约10.8Kw
NO.8  系统尺寸
电气柜: 1m(长) x 0.7m(宽)x 2.1m(高)、腔体柜:0.9m(长) x 1m(宽)x 1.5m(高)

 

 

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  • 微波等离子(1).jpg

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